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AFT05MS006N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

AFT05MS006N
廠商型號

AFT05MS006N

參數(shù)屬性

AFT05MS006N 封裝/外殼為PLD-1.5W;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 30V 520MHZ PLD

功能描述

High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

PLD-1.5W

文件大小

996.3 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 19:07:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    AFT05MS006NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    520MHz

  • 增益:

    18.3dB

  • 功率 - 輸出:

    6W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5W

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5W

  • 描述:

    FET RF 30V 520MHZ PLD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NXP/恩智浦
21+
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