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AFT18S260W31S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
AFT18S260W31S |
參數(shù)屬性 | AFT18S260W31S 封裝/外殼為NI-780S-2L2LA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:IC TRANS RF LDMOS |
功能描述 | RF Power LDMOS Transistors |
文件大小 |
676.01 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
20 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-11-8 20:38:00 |
AFT18S260W31S規(guī)格書詳情
AFT18S260W31S屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的AFT18S260W31S晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
AFT18S260W31SR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
1.88GHz
- 增益:
19.6dB
- 功率 - 輸出:
50W
- 封裝/外殼:
NI-780S-2L2LA
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-780S-2L2LA
- 描述:
IC TRANS RF LDMOS
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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