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AFT26H050W26SR3分立半導體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

AFT26H050W26SR3
廠商型號

AFT26H050W26SR3

參數(shù)屬性

AFT26H050W26SR3 封裝/外殼為NI-780S-4L4L-8;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4

功能描述

RF Power LDMOS Transistors
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4

文件大小

760.33 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載

更新時間

2024-11-8 23:00:00

AFT26H050W26SR3規(guī)格書詳情

AFT26H050W26SR3屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。恩智浦半導體公司制造生產(chǎn)的AFT26H050W26SR3晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    AFT26H050W26SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.69GHz

  • 增益:

    14.2dB

  • 功率 - 輸出:

    9W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4L4L-8

  • 供應商器件封裝:

    NI-780S-4L4L-8

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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