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AGR26180EF

180 W, 2.535 GHz-2.655 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET

TriQuint

TriQuint Semiconductor

26180

BobbinWoundSurfaceMountInductors

DESCRIPTION The2600seriesisarangeofbobbinwoundsurfacemountinductorsdesignedforuseinswitchingpowersupplyandpowerlinefiltercircuits.Thepartsaresuitableforanyapplicationrequiringahighsaturationcurrentinaminiaturesurfacemountfootprint.WhereEMIisacritical

CANDD

C&D Technologies

26180C

BobbinWoundSurfaceMountInductors

MURATA-PSMurata Power Solutions Inc.

村田村田制作所

26180C

BobbinWoundSurfaceMountInductors

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

NJU26180

NJU26100SeriesHardwareSpecification

NJRCNew Japan Radio

新日本無線株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    AGR26180EF

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多AGR26180EF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 13:00:00