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AIGB30N65F5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

AIGB30N65F5
廠商型號(hào)

AIGB30N65F5

參數(shù)屬性

AIGB30N65F5 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:DISCRETE SWITCHES

功能描述

High speed FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology
DISCRETE SWITCHES

絲印標(biāo)識(shí)

AG30EF5

封裝外殼

PG-TO263-3 / TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

1.48487 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-23 11:47:00

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AIGB30N65F5規(guī)格書詳情

AIGB30N65F5屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的AIGB30N65F5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Features and Benefits:

High speed F5 technology offering:

? Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant

topologies

? 650V breakdown voltage

? Low gate charge QG

? Maximum junction temperature 175°C

? Dynamically stress tested

? Qualified according to AEC-Q101

? Green package (RoHS compliant)

? Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    AIGB30N65F5ATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO263-3-2

  • 描述:

    DISCRETE SWITCHES

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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