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AIKB30N65DH5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

AIKB30N65DH5
廠商型號

AIKB30N65DH5
參數(shù)屬性

AIKB30N65DH5 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：DISCRETE SWITCHES
功能描述

High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode
DISCRETE SWITCHES
絲印標(biāo)識

AK30EDH5
封裝外殼

PG-TO263-3 / TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

1.56773 Mbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-26 11:26:00

AIKB30N65DH5規(guī)格書詳情

AIKB30N65DH5屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的AIKB30N65DH5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features and Benefits:

High speed H5 technology offering:

? Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant

topologies

? Plug and play replacement of previous generation IGBTs

? 650V breakdown voltage

? Low gate charge QG

? IGBT copacked with RAPID 1 fast and soft antiparallel diode

? Maximum junction temperature 175°C

? Dynamically stress tested

? Qualified according to AEC-Q101

? Green package (RoHS compliant)

? Complete product spectrum and PSpice Models:

http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    AIKB30N65DH5ATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    DISCRETE SWITCHES

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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