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AM28F020-90PI	文件：509.2 Kbytes Page：35 Pages	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory GENERALDESCRIPTION TheAm28F020isa2MegabitFlashmemoryorganizedas256Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F020ispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedto	AMDAdvanced Micro Devices 超威半導(dǎo)體美國(guó)超威半導(dǎo)體公司	AMD
AM28F020-90PIB	文件：509.2 Kbytes Page：35 Pages	2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory GENERALDESCRIPTION TheAm28F020isa2MegabitFlashmemoryorganizedas256Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F020ispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedto	AMDAdvanced Micro Devices 超威半導(dǎo)體美國(guó)超威半導(dǎo)體公司	AMD
CAT28F020-90	文件：100.28 Kbytes Page：14 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. FEATURES ■FastRe	Catalyst Catalyst Semiconductor	Catalyst
E28F020-90	文件：878.8 Kbytes Page：38 Pages	28F0202048K(256KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F020CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F020addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewritten:inatestsocket;inaPROM-programmer	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特爾英特爾（美國(guó)科技公司）	Intel
IS28F020-90PL	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144x8CMOSFLASHMEMORY 262,144x8CMOSFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS28F020-90PLI	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144x8CMOSFLASHMEMORY 262,144x8CMOSFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS28F020-90T	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144x8CMOSFLASHMEMORY 262,144x8CMOSFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
IS28F020-90TI	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144x8CMOSFLASHMEMORY 262,144x8CMOSFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
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IS28F020-90WI	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144x8CMOSFLASHMEMORY 262,144x8CMOSFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司	ISSI
N28F020-90	文件：878.8 Kbytes Page：38 Pages	28F0202048K(256KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F020CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F020addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewritten:inatestsocket;inaPROM-programmer	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特爾英特爾（美國(guó)科技公司）	Intel
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TN28F020-90	文件：878.8 Kbytes Page：38 Pages	28F0202048K(256KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F020CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F020addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewritten:inatestsocket;inaPROM-programmer	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特爾英特爾（美國(guó)科技公司）	Intel

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