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AM4102DR中文資料創(chuàng)瑞科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AM4102DR
廠商型號(hào)

AM4102DR

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件大小

752 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 AiT Semiconductor Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AITSEMI創(chuàng)瑞科技

中文名稱

AiT創(chuàng)瑞科技官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-26 23:00:00

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AM4102DR規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The AM4102 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

AM4102 is available in a TO252-2 package.

FEATURES

? VDS=30V, ID=50A

RDS(ON) <11mΩ@ VGS =10V

RDS(ON) <16mΩ@ VGS =5V

? High density cell design for ultra low RDSON

? Fully characterized Avalanche voltage and current

? Good stability and uniformity with high EAS

? Excellent package for good heat dissipation

? Special process technology for high ESD capability

? Available in a TO252-2 package.

APPLICATION

? Power switching application

? Hard switched and high frequency circuits

? Uninterruptible Power Supply

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