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AM82731-012中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AM82731-012
廠商型號(hào)

AM82731-012
功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS S-BAND RADAR APPLICATIONS
文件大小

56.75 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 14:30:00

AM82731-012規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The AM82731-012 device is a high power silicon bipolar NPN transistor specifically designed for S-Band radar pulsed output and driver applications.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

■ EMITTER SITE BALLASTED

■ LOW THERMAL RESISTANCE

■ INPUT/OUTPUT MATCHING

■ OVERLAY GEOMETRY

■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

■ POUT = 12 W MIN. WITH 6.0 dB GAIN

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    AM82731-012

  • 制造商：

    ASI

  • 制造商全稱：

    ASI

  • 功能描述：

    NPN RF POWER TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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