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AML1005H3N9STS中文資料瑞薩數據手冊PDF規(guī)格書

AML1005H3N9STS
廠商型號

AML1005H3N9STS

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

文件大小

176.65 Kbytes

頁面數量

16

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-3 23:00:00

AML1005H3N9STS規(guī)格書詳情

FEATURES

? The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

? SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

? This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

? 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

產品屬性

  • 型號:

    AML1005H3N9STS

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FDK
23+
NA/
13250
原裝現貨,當天可交貨,原型號開票
詢價
FDK
2016+
SMD
10000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
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FDK
24+
402
10000
原裝正品,歡迎來電咨詢!
詢價
FDK
24+
ROHS
990000
明嘉萊只做原裝正品現貨
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23+
0402L
9868
專做原裝正品,假一罰百!
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5000
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原裝正品
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66300
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22+
SMD-0402
25000
原裝現貨,價格優(yōu)惠,假一罰十
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23+
0402
7300
專注配單,只做原裝進口現貨
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23+
0402
7300
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