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AUIRF3415	文件：242.54 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPLANARTECHNOLOGY,LOWON-RESISTANCE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
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BC3415K	文件：233.93 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE ExcellentRDS(ON),lowgatecharge,lowgatevoltages APPLICATION LoadswitchandinPWMapplicatopns ESDProtectedupto2kV	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
BCL3415KDW	文件：390.71 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE ExcellentRDS(ON),lowgatecharge,lowgatevoltage APPLICATION LoadswitchandinPWMapplicatopns Highpowerandcurrenthandingcapability	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
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CJ3415	文件：1.20339 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJ3415-HF	文件：137.82 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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CJK3415	文件：913.8 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
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DMG3415U	文件：974.92 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelMosfet ProductSummary VDS-20V,ID=-4A RDS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

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更多AO3415K供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 16:20:00

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