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AO4404B中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4404B
廠商型號

AO4404B

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

115.93 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-23 13:12:00

AO4404B規(guī)格書詳情

General Description

The AO4404B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance. Standard Product AO4404B is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

Features

VDS (V) = 30V

ID = 8.5A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 24m? (VGS = 10V)

RDS(ON) < 30m? (VGS = 4.5V)

RDS(ON)

UIS TESTED!

Rg,Ciss,Coss,Crss Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4404B

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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