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AO4435中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AO4435
廠商型號(hào)

AO4435

功能描述

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件大小

976.65 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 UMW Rightway Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UMW友臺(tái)半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱UMW?)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-17 12:20:00

AO4435規(guī)格書詳情

General Features

VDS = -30V I D = -12A

RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=10V

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO4435

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -30V -10.5A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AO
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SOP8
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原裝正品現(xiàn)貨,可開13個(gè)點(diǎn)稅
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原裝正品 支持實(shí)單
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