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AO4447中文資料萬和興電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4447
廠商型號

AO4447

功能描述

30V P-Channel MOSFET

文件大小

1.69907 Mbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

WHXPCB萬和興電子

中文名稱

深圳萬和興電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-19 14:44:00

AO4447規(guī)格書詳情

General Description

The AO4447 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch. The device is ESD protected.

Product Summary

VDS (V) = -30V

ID = -15 A (VGS = -10V)

Max RDS(ON) < 7.5m? (VGS = -10V)

Max RDS(ON) < 12m? (VGS = -4V)

ESD Rating: 4KV HBM

100 UIS Tested

100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4447

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -30V -15A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AO
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SOP-8
16800
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8-SOIC
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22+
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原裝正品現(xiàn)貨
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18000
原裝正品
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