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AO4611中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AO4611
廠商型號(hào)

AO4611
功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小

166.37 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

AOSMD【萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體】

中文名稱

美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 17:46:00
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AO4611規(guī)格書詳情

General Description

The AO4611 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Standard Product AO4611 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4611L is a Green

Product ordering option. AO4611 and AO4611L are electrically identical.

Features

n-channel p-channel

VDS(V) = 60V -60V

ID= 6.3A (VGS=10V) -4.9A(VGS= -10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 25m?(VGS=10V) < 42m?(VGS= -10V)

< 30m?(VGS=4.5V) < 52m?(VGS= -4.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    AO4611

  • 功能描述：

    MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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