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AO4618

40V Complementary MOSFET

GeneralDescription TheAO4618usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThiscomplementaryNandPchannelMOSFETconfigurationisidealforlowInputVoltageinverterapplications. ProductSummary N-ChannelP-Channel VDS=40V

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AO4618

Marking:4618;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

AO4618

N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

AO4618

N-Chanel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

AO4618-HF

Marking:4618;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

AP4618CDT

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

CD4618

ZENERDIODECHIPS

?1N4614THRU1N4627AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 ?ZENERDIODECHIPS ?ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE ?ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4614THRU1N4627 ?0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING ?COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDLL4618

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

?1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 ?LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT ?LOWCURRENTOPERATIONAT250μA ?METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

CDLL4618

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

?1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 ?LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT ?LOWCURRENTOPERATIONAT250μA ?METALLURGICALLYBONDED

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDLL4618C

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

?1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 ?LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT ?LOWCURRENTOPERATIONAT250μA ?METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    AO4618

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH 40V 8/7A 8SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多AO4618供應商 更新時間2025-3-11 15:14:00