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AO4619中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4619
廠商型號

AO4619
功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小

153 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD【萬國半導體】

中文名稱

美國萬國半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-5 22:42:00

AO4619規(guī)格書詳情

General Description

The AO4619 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in inverter and other applications. Standard Product AO4619 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 30V -30V

ID = 7.4A (VGS=10V) -5.2A (VGS = -10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 24m? (VGS=10V) < 48m? (VGS = -10V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    AO4619

  • 功能描述：

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個 N 溝道（雙） FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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