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AO6402A中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO6402A
廠商型號

AO6402A

功能描述

30V N-Channel MOSFET

絲印標(biāo)識

42KLU50

封裝外殼

SOT23-6

文件大小

375.22 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-5 23:00:00

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AO6402A規(guī)格書詳情

General Description

The AO6402A uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications. The source leads are separated to allow

a Kelvin connection to the source, which may be

used to bypass the source inductance.

Features

ID = 7.5A (VGS = 10V)

VDS (V) = 30V

RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V)

RDS(ON) 24m (VGS = 10V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO6402A

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 7A 6-TSOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AOS
24+
SOT23-6
22048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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