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AO6403中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO6403
廠商型號

AO6403

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

114.21 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-13 22:36:00

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AO6403規(guī)格書詳情

General Description

The AO6403 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It may be used in common-drain configuration to form a bidirectional blocking switch. AO6403 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6403L is a Green Product ordering option. AO6403 and AO6403L are

electrically identical.

Features

VDS(V) = -30V

ID= -6 A (VGS= -10V)

RDS(ON) < 35m?(VGS= -10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO6403

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -30V -6A 6-TSOP

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AOS
14+
SOT23-6
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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