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AO9926E中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

AO9926E
廠商型號(hào)

AO9926E

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

249.16 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

AOSMD萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00

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AO9926E規(guī)格書(shū)詳情

General Description

The AO9926E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO9926E is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO9926EL is a Green Product ordering option.

Features

VDS (V) = 20V

ID = 8A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 21m? (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 25m? (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 33m? (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO9926E

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱(chēng):

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
AOS/萬(wàn)代
24+
NA/
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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