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AO9926E中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO9926E
廠商型號

AO9926E

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

249.16 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-24 13:26:00

AO9926E規(guī)格書詳情

General Description

The AO9926E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO9926E is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO9926EL is a Green Product ordering option.

Features

VDS (V) = 20V

ID = 8A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 21m? (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 25m? (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 33m? (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO9926E

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
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