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AOB11S60L中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOB11S60L
廠商型號

AOB11S60L

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識

D2PAK

封裝外殼

TO-263

文件大小

1.03889 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 17:00:00

AOB11S60L規(guī)格書詳情

FEATURES

? Reduced trr, Qrr, and IRRM

? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

? Low input capacitance (Ciss)

? Low switching losses due to reduced Qrr

? Ultra low gate charge (Qg)

? Avalanche energy rated (UIS)

APPLICATIONS

? Telecommunications

- Server and telecom power supplies

? Lighting

- High-intensity discharge (HID)

- Fluorescent ballast lighting

? Consumer and computing

- ATX power supplies

? Industrial

- Welding

- Battery chargers

? Renewable energy

- Solar (PV inverters)

? Switch mode power supplies (SMPS)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOB11S60L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 11A TO263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    aMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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