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AOB11S60L中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOB11S60L
廠商型號

AOB11S60L

功能描述

600V 11A a MOS

文件大小

508.66 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導體

中文名稱

美國萬國半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-2 23:15:00

AOB11S60L規(guī)格書詳情

General Description

The AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

VDS @ Tj,max 700V

IDM 45A

RDS(ON),max 0.399?

Qg,typ 11nC

Eoss @ 400V 2.7μJ

100 UIS Tested

100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOB11S60L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 11A TO263

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    aMOS™

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AOS
18+
TO-263
1600
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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