AOD458中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
AOD458 |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
124.41 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Alpha & Omega Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
AOSMD【萬國半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-27 11:39:00 |
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AOD458規(guī)格書詳情
General Description
The AOD458 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard product AOD458 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD458L is a Green Product ordering option. AOD458 and AOD458L are electrically identical.
Features
VDS(V) = 30V
ID= 85A (VGS= 10V)
RDS(ON)< 4m?(VGS= 10V)
RDS(ON)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
AOD458
- 功能描述：
MOSFET N CH 250V 14A TO252
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
23+ |
TO-252 |
8650 |
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詢價 | ||
AOS |
21+ |
TO252 |
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AOS/萬代 |
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22+ |
TO252 |
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AOS/萬代 |
22+ |
TO252 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
APLHA |
21+ |
TO252 |
12588 |
原裝正品 |
詢價 | ||
AOS |
兩年內(nèi) |
NA |
2406 |
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AOS |
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