AOD484中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
AOD484 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
144.78 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Alpha & Omega Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
AOSMD【萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-8 19:00:00 |
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AOD484規(guī)格書詳情
General Description
The AOD484 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. Standard Product AOD484 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOD484L is a Green Product ordering option. AOD484 and AOD484L are electrically identical.
Features
VDS (V) = 30V
ID = 25 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 15 mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON)
UIS Tested!
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
AOD484
- 功能描述:
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
TO252 |
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