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DTA603	文件：608.57 Kbytes Page：16 Pages	BiasResistorTransistors BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistors withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamono	FS First Silicon Co., Ltd	FS
EC603	文件：423.49 Kbytes Page：4 Pages	Castaluminumupperelectricalhousing	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
ED603CS	文件：45.08 Kbytes Page：2 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSUPERFASTRECOVERYRECTIFIER(VOLTAGE-200to600VoltsCURRENT-6.0Amperes) VOLTAGE200to600VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES ?Superfastrecoverytimes-epitaxialconstruction. ?Lowforwardvoltage,highcurrentcapability. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228. ?Hermeticallysealed. ?Lowleakage. ?Highsurgecapability. ?Plasticpackageha	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
ED603CS	文件：48.35 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
ED603CS	文件：127.81 Kbytes Page：3 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
ED603CT	文件：40.62 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIER(VOLTAGE-200to600VoltsCURRENT-6.0Amperes) SUPERFASTRECOVERYRECTIFIER VOLTAGE-200to600VoltsCURRENT-6.0Amperes FEATURES ?Forthoroughholeapplications ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Easypickandplace ?Superfastrecoverytimesforhighefficiency ?PlasticpackagehasUnderwriters	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
ED603CT	文件：40.52 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
ED603CT	文件：51.08 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
ELM603	文件：1.24179 Mbytes Page：7 Pages	1.5A1.5MHzhighefficiencyPWMstepdownDC/DCconverter	ELM ELM Electronics	ELM
ER603	文件：206.92 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Superfastswitchingforhighefficiency Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength, 5lbs.(2.3kg	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AOD603
功能描述：
MOSFET COMPL 60V 3.5A TO252-4L
RoHS：
是
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列：
-
產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
系列：
- FET
型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
包裝：
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多AOD603供應(yīng)商更新時(shí)間2025-4-24 10:01:00

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