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AOD609

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAOD609/LusesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.AOD609andAOD609Lareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AOD609LisHalogenFree

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOD609

Marking:D-PAK;Package:TO-252-4L;N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested APPLICATIONS ?CCFLInverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

AOD609

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOD609_09

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOP609

ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOP609usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardProductAOP609isPbfree(meetsROHS&Sony259specifications). AOP609L

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOP609L

ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAOP609usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardProductAOP609isPbfree(meetsROHS&Sony259specifications). AOP609L

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

APT609RKVR

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AR609

RECTIFIERDIODE

RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto600V Meanforwardcurrent5380A Surgecurrent50.4kA

POSEICO

Power Semiconductors

AR609LT

RECTIFIERDIODE

RECTIFIERDIODE Repetitivevoltageupto600V Meanforwardcurrent6825A Surgecurrent60kA

POSEICO

Power Semiconductors

ARH609

TO-8BHCASCADABLEARH609AMPLIFIER

TELEDYNE

Teledyne Technologies Incorporated

詳細參數(shù)

  • 型號:

    AOD609

  • 功能描述:

    MOSFET COMPL 40V 12A TO252

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多AOD609供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 10:02:00