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AOD7S65

Marking：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=7.0A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=650V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-L

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOD7S65

650V 7A a MOS Power Transistor

GeneralDescription TheAOD7S65&AOU7S65&AOI7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalancheca

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOI7S65

650V7AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOD7S65&AOU7S65&AOI7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalancheca

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萬國半導體美國萬國半導體

AOI7S65

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOT7S65

650V7AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT7S65L&AOB7S65L&AOTF7S65L&AOTF7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguar

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AOT7S65L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOT7S65L

650V7AaMOS

GeneralDescription TheAOT7S65L&AOB7S65L&AOTF7S65L&AOTF7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguar

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萬國半導體美國萬國半導體

AOTF7S65

650V7AaMOS

GeneralDescription TheAOT7S65L&AOB7S65L&AOTF7S65L&AOTF7S65havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguar

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650V7AaMOSPowerTransistor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    AOD7S65

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 650V 7A TO252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    aMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ALPHA
SOT-252
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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更多AOD7S65供應商 更新時間2025-2-4 14:00:00

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