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AOI456	文件：330.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOI456	文件：995.06 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOU456	文件：71.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOU456	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AOU456	文件：352.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOU456L	文件：71.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU456usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU456isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
BD456N	文件：236.72 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
BD456P	文件：236.72 Kbytes Page：2 Pages	45AMPBLOCKDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SHUNYE
BMA456	文件：3.63604 Mbytes Page：129 Pages	Digital,triaxialaccelerationsensor	boschBosch Sensortec GmbH 博世博世半導體	bosch
BMR456	文件：2.23529 Mbytes Page：49 Pages	2013-2013-FullyregulatedAdvancedBusConvertersInput36-75V,Outputupto39A/468W	EricssonEricsson Microelectronics 愛立信愛立信公司	Ericsson
BUK456	文件：61.6 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BZA456A	文件：70.38 Kbytes Page：12 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor DESCRIPTION MonolithictransientvoltagesuppressordiodeinasixleadSOT457(SC-74)packagefor4-bitwideESDtransientsuppressionat5.6Vlevel. FEATURES ?ESDrating>8kV,accordingtoIEC1000-4-2 ?SOT457surfacemountpackage ?Commonanodeconfiguration ?Non-clampingrange?0.5	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BZA456A	文件：144.96 Kbytes Page：10 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor DESCRIPTION MonolithictransientvoltagesuppressordiodeinasixleadSOT457(SC-74)packagefor4-bitwideESDtransientsuppressionat5.6Vlevel. FEATURES ?ESDrating>8kV,accordingtoIEC1000-4-2 ?SOT457surfacemountpackage ?Commonanodeconfiguration ?Non-clampingrange?0.5	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp
BZA456A	文件：328.22 Kbytes Page：11 Pages	QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor FEATURES ?ESDrating>8kV,accordingtoIEC1000-4-2 ?SOT457surfacemountpackage ?Commonanodeconfiguration ?Non-clampingrange?0.5to5.6V ?Maximumreversepeakpowerdissipation: 24Wattp=1ms ?Maximumclampingvoltageatpeakpulsecurrent: 8VatIZSM=3A. APPLICATIONS ?Co	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
CH456	文件：184.72 Kbytes Page：7 Pages	16bitdigitaltubedriveandkeyboardcontrolchip	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江蘇沁恒股份有限公司	WCH
CH456G	文件：184.72 Kbytes Page：7 Pages	16bitdigitaltubedriveandkeyboardcontrolchip	WCHNanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd. 南京沁恒江蘇沁恒股份有限公司	WCH
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CHM456NZPT	文件：218.6 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT5Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-73/SOT-223) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO

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