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AON3601中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AON3601
廠商型號

AON3601

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

166.39 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-16 23:00:00

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AON3601規(guī)格書詳情

General Description

The AON3601 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in power inverters, and other applications.Standard Product AON3601 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AON3601L is a Green Product ordering option. AON3601 and AON3601L are electrically identical.

Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 30V -30V

ID = 6.6A (VGS=10V) -5A (VGS = -10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 29m? (VGS=10V) < 52m? (VGS = -10V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AON3601

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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