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AOT10N60中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AOT10N60
廠商型號

AOT10N60

功能描述

600V,10A N-Channel MOSFET

文件大小

264.79 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導(dǎo)體

中文名稱

美國萬國半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-30 16:42:00

AOT10N60規(guī)格書詳情

General Description

The AOT10N60 & AOB10N60 & AOTF10N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability these parts can be adopted quickly into new and existing offline power supply designs.

Product Summary

VDS 700V@150℃

ID (at VGS=10V) 10A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.75?

100 UIS Tested

100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AOT10N60

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AOS
TO-220
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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AOS/萬代
2019+
TO220
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原廠渠道 可含稅出貨
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ALPHA萬代
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AOS/萬代
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TO-220
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AOS
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TO-220
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保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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AOS
2023+
TO-220
50000
原裝現(xiàn)貨
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Alpha & Omega Semiconductor In
2022+
TO-220-3
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