AOT12N65中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
AOT12N65 |
| 功能描述 | 650V, 12A N-Channel MOSFET |
| 文件大小 |
160.22 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Alpha & Omega Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
AOSMD【萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-15 15:44:00 |
AOT12N65規(guī)格書詳情
AOTF12N65 -> Marking : TF12N65
The AOT12N65 & AOTF12N65 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.
http://www.aosmd.com/res/markings/AOTF12N65.pdf
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
AOT12N65
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
TO-220 |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
21+ |
65200 |
詢價(jià) | ||||
Alpha & Omega Semiconductor In |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
AOS |
14+;10+ |
TO220 |
150 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
AOS |
22+ |
TO-220 |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢價(jià) | ||
AOS |
22+ |
TO220 |
25000 |
原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
AOS萬(wàn)代 |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
23+ |
TO-220 |
24190 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
AOS/萬(wàn)代 |
2019+ |
TO220 |
3333 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價(jià) |
