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AOT27S60

600V 27A a MOS Power Transistor

GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導體美國萬國半導體

AOT27S60

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOT27S60L

600V 27A a MOS

GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche

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AOB27S60

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOB27S60

600V27AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche

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萬國半導體美國萬國半導體

AOB27S60L

600V27AaMOS

GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche

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萬國半導體美國萬國半導體

AOK27S60

600V27AaMOSPowerTransistor

GeneralDescription TheAOK27S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea

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AOK27S60L

600V27AaMOS

GeneralDescription TheAOK27S60hasbeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythispartcanbea

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AOK27S60L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Besuitableforsynchronousrectificationforserverand generalpurposeapplications ?FEATURES ?DrainCurrent–ID=27A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max) ?100avalanchetested ?Minimum

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

AOTF27S60

600V27AaMOS

GeneralDescription TheAOT27S60&AOB27S60&AOTF27S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanche

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    AOT27S60

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 27A TO220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    aMOS™

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
AOS/萬代
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專業(yè)直銷原裝AOS一系列可訂貨
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更多AOT27S60供應商 更新時間2025-3-30 10:01:00

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