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AOW12N50	文件：287.34 Kbytes Page：6 Pages	500V, 12A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AOW12N50	文件：342.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
AOWF12N50	文件：287.34 Kbytes Page：6 Pages	500V,12AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
FDB12N50	文件：366.6 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?RDS(on)=0.55Ω(Typ.)@VGS=10V,ID=6A ?Lowgatecharge(Typ.22nC) ?LowCrss(Typ.12pF) ?Fastswitching ?100avalan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDB12N50	文件：438.39 Kbytes Page：8 Pages	OptimizedSwitchforDiscontinuousCurrentModePowerFactorCorrection	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDB12N50	文件：331.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDB12N50F	文件：597.28 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET500V,11.5A,0.7廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDB12N50F	文件：1.10795 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FDB12N50F	文件：331.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDB12N50TM	文件：366.6 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?RDS(on)=0.55Ω(Typ.)@VGS=10V,ID=6A ?Lowgatecharge(Typ.22nC) ?LowCrss(Typ.12pF) ?Fastswitching ?100avalan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDB12N50TM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDB12N50TM	文件：331.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDB12N50U	文件：638.49 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET500V,10A,0.8廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDB12N50U	文件：332.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDI12N50	文件：366.6 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?RDS(on)=0.55Ω(Typ.)@VGS=10V,ID=6A ?Lowgatecharge(Typ.22nC) ?LowCrss(Typ.12pF) ?Fastswitching ?100avalan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDI12N50TU	文件：366.6 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features ?RDS(on)=0.55Ω(Typ.)@VGS=10V,ID=6A ?Lowgatecharge(Typ.22nC) ?LowCrss(Typ.12pF) ?Fastswitching ?100avalan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDP12N50	文件：381.34 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65廓 Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDP12N50	文件：331.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FDP12N50F	文件：701.21 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.7廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDP12N50NZ	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
AOW12N50
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 12A TO262
RoHS：
是
類別：
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列：
-
標準包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應商設備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	AOW12N50	Alpha & Omega Semiconductor In	24+	TO-262	30000	晶體管-分立半導體產品-原裝正品	詢價
深圳市金華微盛電子有限公司	AOW12N50	AOS/萬代	2019+	TO262	3333	原廠渠道可含稅出貨	詢價
深圳市泓利達微科技有限公司	AOW12N50	AOS/萬代	24+	TO-262	333888	專業(yè)直銷原裝AOS一系列可訂貨	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	AOW12N50	AOS	24+	TO-262	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市百諾芯科技有限公司	AOW12N50	AOS/萬代	23+	TO-262	24190	原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢	詢價
深圳市百域芯科技有限公司	AOW12N50	AOS/萬代	21+	TO-262	30000	優(yōu)勢供應實單必成可13點增值稅	詢價
深圳市科雨電子有限公司	AOW12N50	AOS	1809+	TO-262	3675	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	AOW12N50	AOS/萬代	23+	TO-262	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	AOW12N50	AOS	23+	TO262	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市易訊博科技有限公司	AOW12N50	AOS	22+	NA	6878	加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,	詢價

更多AOW12N50供應商更新時間2024-12-22 14:13:00

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