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AP02N60I-A-HF	文件：57.17 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
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CJD02N60	文件：1.16441 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
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CJP02N60	文件：1.12379 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThehighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffi	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJP02N60	文件：197.59 Kbytes Page：3 Pages	PowerFiledEffectTransistor GeneralDescription ThehighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffi	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
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CJU02N60	文件：1.92836 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CMT02N60	文件：328.89 Kbytes Page：7 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
CMT02N60	文件：205.04 Kbytes Page：6 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR GENERALDESCRIPTIONFEATURES ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenew	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠電子工業(yè)股份有限公司	CHAMP

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更多AP02N60I-A供應(yīng)商更新時間2025-1-10 14:01:00

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