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AP2306AGN	文件：73.23 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306AGN	文件：1.02675 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP2306AGN-HF	文件：112.51 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageiswidelyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Low	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306AGN-HF_14	文件：112.51 Kbytes Page：5 Pages	Lower on-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306AGN-HF_16	文件：101.41 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Package	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306CGN-HF	文件：99.18 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5Vgatedrive,Loweron-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306CGTN-HF	文件：102.07 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,LowerOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306GN	文件：72.9 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Low	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
AP2306GN	文件：1.035589 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP2306GN-HF	文件：105.88 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5Vgatedrive,Loweron-resistance Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageiswidelyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Loweron	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER

詳細(xì)參數(shù)

型號：
AP2306AGN
制造商：
A-POWER
制造商全稱：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	AP2306AGN	APEC	16+	你問我	10000	只說一遍APEC富鼎正規(guī)授權(quán)代理證件齊全進(jìn)口原裝假一罰	詢價(jià)
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