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BFG410W

NPN22GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNdoublepolysiliconwidebandtransistorwithburiedlayerforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pindual-emitterSOT343Rpackage. FEATURES ?Veryhighpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Emitteristhermallead ?Lowfeedbackcapacitance. APPLI

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多AP410C-FCC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-15 11:30:00

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