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AP50N06P	文件：1.45994 Mbytes Page：6 Pages	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
B50N06	文件：808.18 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：807.99 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
B50N06	文件：808.45 Kbytes Page：10 Pages	50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
BR50N06	文件：1.14718 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BR50N06	文件：1.45994 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI
BR50N06	文件：1.22906 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
BRB50N06	文件：762.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
BRD50N06	文件：1.01448 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEB50N06	文件：391.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB50N06	文件：636.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEB50N06G	文件：587.93 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,55A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED50N06	文件：883.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,36A,RDS(ON)=18m?(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED50N06	文件：423.6 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,36A,RDS(ON)=18mW(typ)@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED50N06G	文件：508.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,40A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N06	文件：391.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP50N06	文件：1.4536 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220M	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司	THINKISEMI

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更多AP50N06P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-5 11:09:00

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