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BB630

630tie-pointSolderlessPlug-inBreadBoard

BB630Features: ?630tie-pointIC-circuitarea. ?WhiteABSplasticbodywithblackprintedlegend. ?ContactsarePhosphorBronzewithPlatedNickelFinish,ratedfor50,000insertions. ?Ratedat36Volts,2Amps. ?InsertionWireSizeis21to26AWG,0.016to0.028inchesdiameter(0.4t

BUSBOARD

BusBoard Prototype Systems Ltd.

BFU630F

NPNwidebandsiliconRFtransistor

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFU630F

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BRD630

N-ChannelPowerMOSFET

FS

First Silicon Co., Ltd

BRD630

N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

BRD630

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

BRI630

N-ChannelPowerMOSFET(200V/9A)

FS

First Silicon Co., Ltd

BTM-630

BC08StereoSpeakerA2DPModule

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BTS630

PWMPowerUnit(Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads.)

PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ?Highsideswitch ?Overtemperaturprotection ?Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidtreductionandoverloadshutdown ?Loaddumpprotection ?Undervoltageandovervoltageshutdownw

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BW630HAGU

MoldedCaseCircuitBreakers

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    AP630GP

  • 制造商：

    A-POWER

  • 制造商全稱：

    Advanced Power Electronics Corp.

  • 功能描述：

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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優(yōu)勢供應(yīng) 實(shí)單必成 可13點(diǎn)增值稅
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更多AP630GP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-14 17:48:00

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