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AP6679GH	文件：217.14 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP6679GJ)is availableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GH	文件：1.023 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP6679GH-HF	文件：222.51 Kbytes Page：6 Pages	Lower On-resistance, Simple Drive Requirement Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP6679GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveReq	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GH-HF	文件：1.023 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AP6679GH-HF	文件：105.44 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GH-HF_14	文件：222.51 Kbytes Page：6 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GH-HF_16	文件：105.44 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GI	文件：59.2 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GI-HF	文件：159 Kbytes Page：5 Pages	LowGateCharge,SingleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GJ	文件：217.14 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP6679GJ)is availableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriv	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GJ-HF	文件：222.51 Kbytes Page：6 Pages	LowerOn-resistance,SimpleDriveRequirement Description TheTO-252packageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/DCconverters.Thethrough-holeversion(AP6679GJ)isavailableforlow-profileapplications. ▼LowerOn-resistance ▼SimpleDriveReq	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GJ-HF	文件：105.44 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GM	文件：1.69426 Mbytes Page：5 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
AP6679GM-HF	文件：1.69432 Mbytes Page：5 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-30V,ID=-12A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
AP6679GM-HF	文件：131.41 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowOn-resistance Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSO-8packageiswidelypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlow	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP6679GP	文件：207.41 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP6679GS	文件：207.41 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER

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