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APA3002	文件：587.54 Kbytes Page：29 Pages	12W Stereo Class-D Audio Power Amplifier GeneralDescription TheAPA3002isamonolithicintegratedcircuit,whichprovidespreciseDCvolumecontrol,andastereoClass-Daudiopoweramplifierscapableofproducing9Winto8W(12V)withlessthan10THD+N.TheattenuatorrangeofthevolumecontrolintheAPA3002isfrom36dB(VVOLUME=	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APA3002QBI-TRG	文件：587.54 Kbytes Page：29 Pages	12W Stereo Class-D Audio Power Amplifier GeneralDescription TheAPA3002isamonolithicintegratedcircuit,whichprovidespreciseDCvolumecontrol,andastereoClass-Daudiopoweramplifierscapableofproducing9Winto8W(12V)withlessthan10THD+N.TheattenuatorrangeofthevolumecontrolintheAPA3002isfrom36dB(VVOLUME=	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
APA3002QCAI-TRG	文件：587.54 Kbytes Page：29 Pages	12W Stereo Class-D Audio Power Amplifier GeneralDescription TheAPA3002isamonolithicintegratedcircuit,whichprovidespreciseDCvolumecontrol,andastereoClass-Daudiopoweramplifierscapableofproducing9Winto8W(12V)withlessthan10THD+N.TheattenuatorrangeofthevolumecontrolintheAPA3002isfrom36dB(VVOLUME=	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂達(dá)電子茂達(dá)電子股份有限公司	ANPEC
AXHV3002	文件：97.02 Kbytes Page：3 Pages	VCO-VoltageControlledOscillator	AXTALAdvanced XTAL Products advanced XTAL Products	AXTAL
AZV3002	文件：653.56 Kbytes Page：11 Pages	Single/DualChannelLowVoltagePush-PullOutputComparators Description AZV3001andAZV3002aresingleanddualchannelcomparatorsdevelopedfornewgenerationlow-powercomparatorfamiliesforbattery-powereddevicesandsystemsrequiringlowvoltageoperation. Thesupplycurrenteachcomparatortypicallyconsumesis6μAtoextendbatterylife.Itisg	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
B3002RW	文件：270.25 Kbytes Page：2 Pages	Compact1x2Inch30WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B3002RW	文件：285.34 Kbytes Page：2 Pages	B3000RWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
BBS3002	文件：281.95 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?ON-resistanceRDS(on)1=4.4mΩ(typ.) ?InputcapacitanceCiss=13200pF(typ.) ?4Vdrive	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO
BBS3002	文件：98.92 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerMOSFET P-ChannelPowerMOSFET–60V,–100A,5.8mΩ,TO-263-2L/TO-263 Features ?ON-resistanceRDS(on)1=4.4mΩ(typ.) ?4Vdrive ?InputcapacitanceCiss=13200pF(typ.)	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
BBS3002	文件：348.54 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社	SANYO

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