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APT1001R1HVR中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

APT1001R1HVR
廠商型號(hào)

APT1001R1HVR

功能描述

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

文件大小

66.93 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 14:15:00

APT1001R1HVR規(guī)格書(shū)詳情

Power MOS V? is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V? also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.

? Faster Switching

? Lower Leakage

? 100 Avalanche Tested

? Popular TO-258 Package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    APT1001R1HVR

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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