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APT10086BVFR中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

APT10086BVFR
廠商型號(hào)

APT10086BVFR

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

372.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 10:16:00

APT10086BVFR規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current –ID= 13A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.86Ω(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    APT10086BVFR

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
APT
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原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!!
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