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APT100GN120B2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
APT100GN120B2 |
| 參數(shù)屬性 | APT100GN120B2 封裝/外殼為T(mén)O-247-3 變式；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 245A 960W TMAX |
| 功能描述 | Thunderbolt IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 變式 |
| 文件大小 |
134.07 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱(chēng) | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-16 22:58:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT100GN120B2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類(lèi)型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，100A
- 開(kāi)關(guān)能量：
11mJ（開(kāi)），9.5mJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
50ns/615ns
- 測(cè)試條件：
800V，100A，1 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3 變式
- 描述：
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
2016+ |
SOT-227 |
3500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢(xún)價(jià) | ||
MICROSEMI |
1119+ |
MODULE |
18 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
APT |
1030+ |
TO-247 |
4 |
詢(xún)價(jià) | |||
MICROSEMI |
21+ |
MODULE |
18 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
APT |
專(zhuān)業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
APT |
2023+ |
MODULE |
80000 |
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
APT |
22+23+ |
TO-247 |
28797 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
APT |
23+ |
TO-247 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | ||
MICROSEMI |
SOT-227 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢(xún)價(jià) | |||
APT |
23+ |
70A/1200V/IG |
50 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售! |
詢(xún)價(jià) |
