首頁(yè)>APT100GN120B2G>詳情

APT100GN120B2G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 MICROCHIP/微芯科技

APT100GN120B2G參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：APT100GN120B2G品牌：microchip

原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,

APT100GN120B2G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商microchip/Microchip Technology生產(chǎn)封裝TO-247-3 變式的APT100GN120B2G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    APT100GN120B2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    44 頁(yè)

  • 文件大小：

    9860.83 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    APT100GN120B2G

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，100A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    11mJ（開(kāi)），9.5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    50ns/615ns

  • 測(cè)試條件：

    800V，100A，1 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 描述：

    IGBT 1200V 245A 960W TMAX

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市川藍(lán)電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    黃小姐/胡小姐

  • 手機(jī)：

    13427997159

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82522939

  • 傳真：

    0755-82522939

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北嘉匯新城匯商中心1020

相近型號(hào)