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APT10M11B2VR中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

APT10M11B2VR
廠商型號(hào)

APT10M11B2VR

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

336.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-9 10:06:00

APT10M11B2VR規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 11mΩ(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    APT10M11B2VR

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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