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APT1201R5BVR中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

APT1201R5BVR
廠商型號

APT1201R5BVR

功能描述

N-Channel MOSFET

文件大小

345.03 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-7 20:00:00

APT1201R5BVR規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 1.5Ω(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

·Switch Mode Power Supply (SMPS)

·Uninterruptible Power Supply (UPS)

·Power Factor Correction (PFC)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    APT1201R5BVR

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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