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APT15GN120BDQ1G中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

APT15GN120BDQ1G
廠商型號

APT15GN120BDQ1G

參數(shù)屬性

APT15GN120BDQ1G 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 45A 195W TO247

功能描述

High Speed PT IGBT

文件大小

170.21 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-17 18:43:00

APT15GN120BDQ1G規(guī)格書詳情

Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature coeffi cient. Low gate charge simplifi es gate drive design and minimizes losses.

? 1200V Field Stop

? Trench Gate: Low VCE(on)

? Easy Paralleling

Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT15GN120BDQ1G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,15A

  • 開關(guān)能量:

    410μJ(開),950μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    10ns/150ns

  • 測試條件:

    800V,15A,4.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 1200V 45A 195W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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