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APT15GN120BDQ1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

APT15GN120BDQ1G
廠商型號(hào)

APT15GN120BDQ1G

參數(shù)屬性

APT15GN120BDQ1G 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 45A 195W TO247

功能描述

Power Semiconductors Power Modules

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

2.83336 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

44 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Microsemi美高森美

中文名稱(chēng)

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-4 19:56:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    APT15GN120BDQ1G

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,15A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    410μJ(開(kāi)),950μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    10ns/150ns

  • 測(cè)試條件:

    800V,15A,4.3 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 1200V 45A 195W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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