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APT15GP90BDQ1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 NSC/美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
APT15GP90BDQ1G
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
- 系列:
POWER MOS 7?
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.9V @ 15V,15A
- 開(kāi)關(guān)能量:
200μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
9ns/33ns
- 測(cè)試條件:
600V,15A,4.3 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247 [B]
- 描述:
IGBT 900V 43A 250W TO247
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
Alan
- 手機(jī):
13316570454
- 詢價(jià):
- 電話:
13316570454
- 地址:
深圳市福田區(qū)荔村社區(qū)2008號(hào)華聯(lián)發(fā)綜合樓811
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