首頁(yè)>APT200GN60B2G>規(guī)格書(shū)詳情
APT200GN60B2G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APT200GN60B2G |
| 參數(shù)屬性 | APT200GN60B2G 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為托盤(pán)；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| 功能描述 | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
9.86083 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
44 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-2 21:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT200GN60B2G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
托盤(pán)
- IGBT 類(lèi)型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.85V @ 15V，200A
- 開(kāi)關(guān)能量：
13mJ（開(kāi)），11mJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
50ns/560ns
- 測(cè)試條件：
400V，200A，1 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 283A 682W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
24+ |
SOT227 |
2050 |
公司大量全新原裝 正品 隨時(shí)可以發(fā)貨 |
詢價(jià) | ||
APT |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
158A/600V/IG |
50 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售! |
詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
原廠原封 |
8200 |
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!! |
詢價(jià) | ||
ADPOW |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
T-MAX |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單 |
詢價(jià) | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
638 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
APT |
23+ |
T-MAX |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) |
